清华大学化学系林朝阳副教授团队在“二维 InSe 半导体薄膜”研究中，通过制备可稳定分散的、高质量单层 InSe（硒化亚铟）二维纳米片胶体分散液，利用液相法沉积 4 英寸厚度均匀、结构致密的 InSe 薄膜。针对该团队对于 InSe 薄膜化学成分的分析需求，能谱分析平台采用 X 射线光电子能谱分别对暴露在空气和氮气中的单层 InSe 的 In 和 Se 化学态进行了分析。在对暴露在空气中的 InSe 分析前，为了去除表面吸附碳，对表面进行了氩离子刻蚀，然而考虑到常规的单粒子刻蚀会对 InSe 结果造成破坏，采用单粒子和团簇枪两种模式对样品表面进行刻蚀，获得真实可靠的InSe结构。结果为验证 InSe 化学结构提供了重要支撑。

该研究工作以“Solution-processed wafer-scale indium selenide semiconductor thin film with high mobilities”为题发表在 Nature Electronics 期刊上。

图1 林朝阳副教授团队论文截图（Nature Electronics, 8, 244–253 (2025)）